温度检测是无处不在的。温度传感器在环境和过程控制以及测试测量和通信中有着传统而广泛的应用。
某些硅温度传感器的工作原理是：
当两个相同的晶体管在集电极电流密度比恒定的情况下工作时，它们的基极-发射极电压差仅与绝对温度成正比。其他的温度传感器则基于采用二极管接法的晶体管的基极-发射极电压VBE的行为，此VBE随着温度反向变化，这个变化速率非常恒定，为-2mV/℃，但是对于不同的晶体管，VBE变化的绝对值也不同。为了补偿这种变化，可以在不同的IE值下比较ΔVBE。
某些硅温度传感器产生模拟电压输出（VPTAT，即与绝对温度成正比的电压），而其他的温度传感器则将VPTAT转换为电流输出。
在数字输出温度传感器中，放大检测晶体管的VBE，然后与带隙基准电压比较，并将结果输入到Σ-Δ或逐次逼近寄存器ADC中转换为数字输出，精度可以是13bit或16bit，其中最低有效位被用作符号位。
一种可替换的数字输出方案是采用脉宽调制（PWM），其温度和脉冲的导通与截止时间的比例成正比。由于导通时间是固定的，因此这些传感器可以按照需要执行单次测量以使功耗最小。
某些硅温度传感器的工作原理是：
当两个相同的晶体管在集电极电流密度比恒定的情况下工作时，它们的基极-发射极电压差仅与绝对温度成正比。其他的温度传感器则基于采用二极管接法的晶体管的基极-发射极电压VBE的行为，此VBE随着温度反向变化，这个变化速率非常恒定，为-2mV/℃，但是对于不同的晶体管，VBE变化的绝对值也不同。为了补偿这种变化，可以在不同的IE值下比较ΔVBE。
某些硅温度传感器产生模拟电压输出（VPTAT，即与绝对温度成正比的电压），而其他的温度传感器则将VPTAT转换为电流输出。
在数字输出温度传感器中，放大检测晶体管的VBE，然后与带隙基准电压比较，并将结果输入到Σ-Δ或逐次逼近寄存器ADC中转换为数字输出，精度可以是13bit或16bit，其中最低有效位被用作符号位。
一种可替换的数字输出方案是采用脉宽调制（PWM），其温度和脉冲的导通与截止时间的比例成正比。由于导通时间是固定的，因此这些传感器可以按照需要执行单次测量以使功耗最小。
